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海力士量产全球最先进闪存颗粒 明年将再更新

信息来源:switchb2b.com  时间:2013-11-25  浏览次数:160

    韩国SK海力士今天宣布,公司已经开始大规模量产16nm工艺的64Gb(8GB) MLC NAND闪存颗粒,这也是当今最先进的闪存制造工艺。其实早在今年六月,海力士就量产了第一版的16nm NAND闪存,最近投产的则是第二版,芯片尺寸更小,更具竞争力。

    此外,海力士还根据16nm 64Gb闪存的规范和耐久性,成功研发了128Gb(16GB)容量版本,存储密度世界最高,计划明年初投入量产。

    海力士指出,通常情况下,NAND闪存工艺越先进,单元之间的 干扰就越严重,但是他们引入了最新的Air-Gap技术来克服这种干扰,主要是将电路之间用于绝缘的基底换成了真空孔。

    海力士最后称,将继续加速研发TLC NAND、3D NAND闪存技术。

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