电阻与二极体(Diode)将朝更微型化推进。随着行动与穿戴式装置配备的功能更趋多元，其搭载的电阻、齐纳(Zener)二极体及萧特基(Schottky)二极体等离散式(Discrete)元件体积亦被要求朝更小尺寸演进，也因此，罗姆(ROHM)已透过全新制程技术，打造超微型电阻与二极体，满足品牌商开发需求。
罗姆株式会社董事暨离散式元件生产部本部长东克己(右1)表示，该公司已克服量产微型化离散元件的技术窒碍，成功投产超微型化电阻及二极体元件。左一为董事长胜野英和、左二为FAE海外系长水源德健、右二为RASMID开发课课长玉川博词。
罗姆株式会社Discrete制造本部本部长东克己表示，面对智慧型手机、穿戴式装置及消费性医疗电子装置等对于更微小化的离散式元件需求看涨，该公司已借助全新制程，成功量产出超微小化电阻、齐纳二极体及萧特基二极体，其中电阻最小尺寸仅0.2毫米×0.1毫米，预定将于2014年10月开始供货；而齐纳二极体与萧特基二极体则为0.4毫米×0.2毫米。
据了解，由于电阻和二极体体积缩小容易牺牲电气特性，因此罗姆系采用独创晶片元件结构和超精密加工技术，藉此维持与传统0.6毫米×0.3毫米产品同样的电气特性，并实现更小型化和超薄化的设计。
至于罗姆发布0.2毫米×0.1毫米齐纳二极体与萧特基二极体的时间点，罗姆株式会社Discrete制造本部RASMID开发课课长玉川博词说明，齐纳二极体和萧特基二极体属于p-n接面的晶片，因此微型化不易，短时间内该公司将不会考虑推出0.2毫米×0.1毫米方案。
尽管超微型化的离散元件单价较高，但东克己认为，由于超微型化电阻和二极体的电极、焊接及焊膏尺寸小，因此整体物料清单(BOM)成本亦跟着调降，系统业者不仅不会垫高成本，且能挟微型化优势提高产品的附加价值。
