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奥海科技(002993.SZ):SiC MOSFET相比Si IGBT具有更快速的开关响应,更低的损耗和耐高温高压能力

信息来源:switchb2b.com   时间: 2023-07-07  浏览次数:3

格隆汇7月6日丨有投资者向奥海科技(002993.SZ)提问,“碳化硅应用于光伏领域的优势有哪些?”

奥海科技回复称,SiC MOSFET相比Si IGBT具有更快速的开关响应,更低的损耗和耐高温高压能力,目前主流的光伏逆变器仍采用Si IGBT。

(责任编辑:宋政 HN002)
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