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江苏能华微取得一种常开耗尽型开关器件的驱动电路专利,能够避免级联中低压 Si MOSFET 器件存在带来的问题

信息来源:switchb2b.com   时间: 2024-08-26  浏览次数:161


本文源自:金融界

金融界 2024 年 8 月 25 日消息,天眼查知识产权信息显示,江苏能华微电子科技发展有限公司取得一项名为“一种常开耗尽型开关器件的驱动电路“,授权公告号 CN118100882B,申请日期为 2024 年 4 月。

专利摘要显示,本发明提供了一种常开耗尽型开关器件的驱动电路,涉及开关器件的驱动电路领域,包括:耗尽型 GaN 器件的栅极分别与开通电阻的一端以及关断电阻的一端相连接;耗尽型 GaN 器件的源极与驱动供电电压 VCC 相连接;开通电阻的另一端与 NPN 型三极管的发射极相连接;NPN 型三极管的集电极与驱动供电电压 VCC 相连接;关断电阻的另一端与 PNP 型三极管的发射极相连接;PNP 型三极管的集电极与驱动供电电压 VCC 的地连接;PNP 型三极管的基极以及 NPN 型三极管的基极均连接信号脉冲;耗尽型 GaN 器件的开通或关断由信号脉冲进行驱动控制。本发明能够避免级联中低压 Si MOSFET 器件存在带来的开关速度变慢,带来的反向恢复问题以及级联 GaN 产品应用场景受限等问题。


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