金融界2025年3月19日消息，国家知识产权局信息显示，深圳真茂佳半导体有限公司申请一项名为“一种FOM值更优的半导体功率器件及其制作方法”的专利，公开号CN 119630042 A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本申请公开了一种FOM值更优的半导体功率器件及其制作方法,半导体功率器件包括包括衬底、外延层、体区、JFET区、切断式栅极、下凹式源接触区以及源极结构，外延层生长在衬底上表面，体区设置在外延层内，体区内设有间隔分开的源区，相邻的源区之间设有基区，基区相接源区的相对侧边；JFET区设置在外延层内，JFET区相接体区的相对侧边，JFET区具有设定掺杂浓度；切断式栅极在JFET区上方及源区和基区的上方形成有开孔，切断式栅极完全覆盖在体区上表面，切断式栅极的周侧覆盖有隔离层；下凹式源接触区由源区的上方和上部结构被刻蚀的基区上方形成；源极结构填充在下凹式源接触区和隔离层的周侧边。本申请能够有效降低导通损耗和开关损耗。
天眼查资料显示，深圳真茂佳半导体有限公司，成立于2016年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本3397.636363万人民币，实缴资本3397.636363万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳真茂佳半导体有限公司参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息62条，此外企业还拥有行政许可16个。
